品牌:AET
型号: 诱电体共振腔
产地:日本
机型:诱电体共振腔
品牌:AET
型号: 诱电体共振腔
产地:日本
机型:诱电体共振腔
仪器简介:
日本AET微波(高频)介电常数测试仪, 利用微波技术结合高Q腔以及3D电磁场模拟技术,采用德国CST公司的3D电磁类比软件MW-StudioTM,测量材料的高频介电常数,此方法保证了介电常数测量结果的精确性。
AET公司开发了诱电体共振腔,用于高介电常数,超低介电损耗的样品。
技术参数:
可测试频率范围: 20G以下
介电常数Epsilon:5-200, 准确度: ±1%,
介电损耗tangent delta:0.00001-0.001, 准确度:±5%
主要特点:
高介电,低损耗材料量测。
应用领域:
主要应用于5G材料,例如薄膜等。
高速数字/微波电路用基底材料 ;滤波器和介电天线用低损耗电介质 ;化学制品;
薄膜与新材料;半导体材料;电子材料(包括CCL和PCB)
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